规格书 |
IPD60R3K3C6 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品培训模块 | |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.7A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 3.3 Ohm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.5V @ 40µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 4.6nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 93pF @ 100V |
功率 - 最大 | 18.1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3TO-252 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 650 V |
最大连续漏极电流 | 1.7 A |
RDS -于 | 3300@10V mOhm |
最大门源电压 | 20 V |
典型导通延迟时间 | 8 ns |
典型上升时间 | 10 ns |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
典型下降时间 | 60 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
P( TOT ) | 18.1W |
匹配代码 | IPD60R3K3C6 |
R( THJC ) | 6.9K/W |
LogicLevel | NO |
单位包 | 2500 |
标准的提前期 | 14 weeks |
最小起订量 | 2500 |
Q(克) | 4.6nC |
LLRDS (上) | n.s.Ohm |
汽车 | NO |
LLRDS (上)在 | n.s.V |
我(D ) | 1.7A |
V( DS ) | 600V |
技术 | CoolMOS C6 |
的RDS(on ) at10V | 3.3Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1.7A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.5V @ 40µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 3.3 Ohm @ 500mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 18.1W |
标准包装 | 2,500 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 93pF @ 100V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 4.6nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IPD60R3K3C6CT |
安装风格 | SMD/SMT |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 1.7 A |
系列 | IPD60R3 |
RDS(ON) | 2.97 Ohms |
功率耗散 | 18.1 W |
商品名 | CoolMOS |
封装/外壳 | TO-252 |
零件号别名 | IPD60R3K3C6BTMA1 SP000799130 |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 650 V |
RoHS | RoHS Compliant |
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